三星電子HBM4芯片已通過內部量產準備認證（PRA），正加速推進對英偉達的供貨進程。若成功進入其供應鏈，三星在AI芯片領域的地位將顯著提升。此前，SK海力士憑藉在HBM4供應中的主導地位，已將芯片單價推高超過50%，進一步鞏固了其市場定價權。隨着英偉達下一代GPU量產臨近，兩家韓國半導體企業在高端存儲市場的競爭態勢預計將持續升溫。
$三星電子 (SSNLF.US)$ 在高帶寬內存（HBM4）領域取得關鍵進展，其芯片已通過量產準備認證（PRA），並準備向英偉達供貨。
12月2日，據媒體報道，三星電子近日完成了HBM4的量產準備認證（PRA）。該芯片已達到三星內部量產標準，公司計劃加快其進入英偉達供應鏈的步伐。
若獲得英偉達的供貨資格，三星電子在AI芯片供應鏈中的地位將顯著提升。英偉達CEO黃仁勳此前表示不排除與三星電子合作的可能性。他強調：「三星的HBM顯存芯片測試合格，合作進展順利。」
此前，在HBM4供應談判中，SK海力士已取得主導地位，成功將芯片單價推高逾50%至每顆500美元以上，進一步鞏固了其在高端存儲市場的定價優勢。
三星電子加速追趕，內部測試傳來利好消息
三星電子近日已完成HBM4的量產準備認證（PRA）。作爲三星內部質量認證流程的最後一步，PRA被視爲產品量產的關鍵節點，意味着其HBM4已達到公司內部量產標準。行業普遍認爲，此次通過PRA將對其後續通過英偉達最終質量測試（Qualtest）產生積極影響，並加速進入英偉達供應鏈進程。
三星電子最初計劃在年內完成HBM4性能評估並啓動量產，但因此前未通過英偉達質量測試而轉向專注設計優化，重點改進散熱表現等關鍵指標。近期，公司通過優化基於1c節點的DRAM成熟度，並結合4納米邏輯工藝提升基礎芯片性能，顯著縮小了與競爭對手的技術差距。
值得關注的是，HBM4的製造依賴DRAM工藝、基礎芯片設計與TSV對準精度等多種技術的複雜整合，這些因素共同決定了芯片的發熱控制與能效水平。三星電子的突破，有望改變當前HBM市場的競爭格局。目前，英偉達正積極確保HBM供應，以爲其下一代GPU「Rubin」在明年下半年的量產做準備，這爲三星電子提供了重要市場窗口。
SK海力士搶佔先機，HBM4漲價逾50%獲英偉達認可
SK海力士在與英偉達的HBM4供應談判中展現強勢議價能力。該公司成功將HBM4價格推升至「500美元中半帶」，較前代產品漲幅超過50%。這一價格調整充分反映出其在高端HBM市場的優勢地位。
技術升級爲大幅提價提供支撐。HBM4的數據傳輸通道(I/O)達到2048個，是前代HBM3E的兩倍。考慮到技術進步帶來的成本增加，SK海力士已將此前自主生產的基礎芯片外包給台積電，以優化供應鏈並控制整體成本。
儘管英偉達最初對大幅漲價表現抗拒，並曾考慮三星電子和美光未來可能的大規模供應，導致雙方談判一度陷入僵持，但最終供應價格仍敲定在SK海力士提議的水平。SK海力士高管強調，考慮到工藝進步和投入成本，HBM4具備大幅提價的結構性因素。
編輯/Liam